翹曲度量測,平面度量測.Warpage Flatness 量測,
TTV，BOW，WARP？
TTV——Total Thickness Variation，總厚度偏差
BOW——彎曲度
WARP——翹曲度
總厚度偏差——TTV
距離參考平面厚度的最大值和最小值的差值；一般以微米(μm)表示，一般表達形式如：≤15μm。
4inch的SEMI標準TTV一般小於2μm，6inch一般小於3μm。
彎曲度——BOW
晶圓中心點表面距離參考平面的最小值和最大值之間的偏差，偏差包括凹形和凸形的情況，凹形彎曲度為負值，凸形彎曲度為正值；一般以微米(μm)表示，一般表達形式如：≤40μm。 4inch的SEMI標準是Bow<40μm。
翹曲度——WARP
晶圓背面為參考平面，測量的晶圓表面距離參考平面的最小值和最大值之間的偏差，偏差包括凹形和凸形的情況，凹形彎曲度為負值，凸形彎曲度為正值；一般以微米(μm)表示，一般表達形式如：≤30μm。4inch的SEMI標準是Warp<40μm。
TTV，Bow，Warp有何差別？
TTV專注於厚度的變化，而不關心晶圓的彎曲或扭曲。
Bow專注於整體彎曲，主要考慮中心點與邊緣的彎曲。
Warp更全面，包括整個晶圓表面的彎曲和扭曲。
儘管這三個參數都與晶圓的形狀和幾何特性有關，但衡量和描述的方面各有不同，對半導體制程和晶圓處理的影響也有所區別。
TTV，Bow，Warp對半導體制程的影響
首先，這三個參數越小越好，TTV，Bow，Warp越大對於半導體制程的負面影響越大，因此如果三者的值超過標準，晶圓就要報廢。
對光刻過程的影響：
焦深問題: 在光刻過程中，可能會導致焦點深度的變化，從而影響圖案的清晰度。
對準問題: 可能會導致晶圓在對準過程中的偏移，進一步影響層與層之間的對準精度。
對化學機械拋光的影響：
拋光不均勻: 可能會導致CMP過程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應力。
對薄膜沉積的影響：
沉積不均勻: 凸凹的晶圓在沉積過程中可能會導致沉積薄膜厚度的不均勻。
對晶圓裝載的影響：
裝載問題: 凸凹的晶圓可能在自動裝載過程中導致晶圓損壞。
